碳化硅的带隙是硅（宽带隙）的2.8倍，达到3.09电子伏特，其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，达到3.2MV/cm，导热系数是硅的3.3倍，4W/cm。肖特基二极管和MOS场EF。碳化硅制成的FECT晶体管的厚度比同一耐压硅器件大一个数量级，硅的杂质浓度可以达到2个数量级，因此碳化硅器件的单位面积阻抗仅为THA的100。
　　硅器件的漂移电阻几乎等于器件的总电阻，因此碳化硅器件的发热值很低，这有助于降低传导损耗和开关损耗，其工作频率通常比硅高10倍。此外，碳化硅半导体具有固有的强抗辐射性。
　　近年来，采用碳化硅材料制备的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）可以通过使用小型注射技术将普通硅器件中的IGBT降低到1／10，并结合碳化硅器件的小热值来实现其导热性。碳化硅器件的优良性能，碳化硅功率器件在400℃的高温下也能正常工作，通过小体积器件可以控制大电流，工作电压也更高。